Південнокорейська корпорація Samsung Electronics оголосила про початок масового випуску високошвидкісної пам’яті шостого покоління HBM4 — першої у світі у своєму класі. За даними JoongAng Ilbo, запуск виробничої лінії запланований на кінець лютого 2026 року.
Інноваційна пам’ять HBM4 стане одним із ключових компонентів майбутніх ІІ-прискорювачів Nvidia нового покоління з кодовою назвою Vera Rubin. Samsung успішно завершила всі етапи перевірки та сертифікації якості, підтвердивши готовність технології до серійного використання. Крім того, компанія заздалегідь узгодила терміни початку виробництва своєї пам’яті з графіком виходу нових процесорів Nvidia, що дозволить забезпечити їх своєчасне оснащення передовими компонентами.
👉Продовжити обговорення можна в нашій спільноті – https://t.me/technozonuachat
Джерело: ITHome
